RS1E220ATTB1 与 BSC084P03NS3 G 区别
| 型号 | RS1E220ATTB1 | BSC084P03NS3 G | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RS1E220ATTB1-1 | A-BSC084P03NS3 G | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 3W(Ta) | 69W | ||||||
| 宽度 | - | 5.15mm | ||||||
| 上升时间 | - | 134ns | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 58 nC | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 4.1mOhm@22A,10V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 2.5V@2mA | 3.1V | ||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 33S | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 33ns | ||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | 8-HSOP | PG-TDSON-8 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 22A(Ta),76A(Tc) | 78.6A | ||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 系列 | - | OptiMOSP3 | ||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||
| 长度 | - | 5.9mm | ||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||
| 栅极电荷Qg | 130nC@10V | - | ||||||
| 下降时间 | - | 8ns | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 16ns | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 6.1mΩ | ||||||
| 高度 | - | 1.27mm | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,000 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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RS1E220ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
22A(Ta),76A(Tc) P-Channel 2.5V@2mA 3W(Ta) 8-HSOP 150°C(TJ) 30V |
￥11.4728
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2,000 | 当前型号 | ||||||||
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BSC084P03NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 78.6A 69W 6.1mΩ 30V 3.1V -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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